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DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導(dǎo)體投資:三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

2024-03-07 11:12:04 160

12 月 21 日消息,根據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道,三星和 SK 海力士都計(jì)劃 2024 年增加半導(dǎo)體設(shè)備投資。

三星計(jì)劃投資 27 萬(wàn)億韓元(IT之家備注:當(dāng)前約 1482.3 億元人民幣),比 2023 年投資預(yù)算增加 25%;而 SK 海力士計(jì)劃投資 5.3 萬(wàn)億韓元(當(dāng)前約 290.97 億元人民幣),比今年的投資額增長(zhǎng) 100%。

報(bào)道中指出,三星和 SK 海力士在增加半導(dǎo)體設(shè)備投資之外,還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標(biāo)。

報(bào)道稱三星將 DRAM 和 NAND 閃存的產(chǎn)量提高 24%,而 SK 海力士的目標(biāo)是將 DRAM 產(chǎn)能提高到 2022 年年底水平。


根據(jù)集邦咨詢公布的 2023 年第 3 季度營(yíng)收數(shù)據(jù),在市場(chǎng)份額方面,三星在 DRAM 領(lǐng)域占有約 38.9% 的市場(chǎng)份額,而 SK 海力士則為 34.3%。


在 NAND 領(lǐng)域,三星擁有約 31.4% 的市場(chǎng)份額,而 SK 海力士則占 20.2%。


DRAM 和 NAND 市場(chǎng)由于長(zhǎng)期供應(yīng)過(guò)剩,主要制造商都采取了減產(chǎn)的方式,這種情況直到近期才有所緩解。

在價(jià)格反彈的情況下,韓國(guó)兩大公司計(jì)劃進(jìn)行重大投資,這引發(fā)了人們對(duì)存儲(chǔ)器行業(yè)可能面臨新挑戰(zhàn)的擔(dān)憂。

此外,業(yè)界普遍認(rèn)為,未來(lái)一些與 AI 相關(guān)的應(yīng)用將需要大容量?jī)?nèi)存支持。例如,明年全球智能手機(jī)出貨量預(yù)計(jì)將增長(zhǎng) 3%,預(yù)計(jì)將促進(jìn)高價(jià)值內(nèi)存市場(chǎng)需求的擴(kuò)大。

集邦咨詢也指出,近期有關(guān)內(nèi)存廠商擴(kuò)大投資、提升產(chǎn)能的消息,主要是受 HBM 市場(chǎng)需求增長(zhǎng)的推動(dòng),而非所有產(chǎn)品的產(chǎn)能擴(kuò)張。

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