RTA設(shè)備結(jié)構(gòu)和原理
快速熱處理(Rapid Thermal Processing)
■ RTA:Rapid Thermal Annealing 快速熱退火;快速退火、RTP、RTA,快速退火爐RTP,快速退火爐RTA
■ RTO:Rapid Thermal Oxidation 快速熱氧化主要用于生長薄絕緣層;快速退火、RTP、RTA,快速退火爐RTP,快速退火爐RTA
■ RTCVD:Rapid Thermal CVD 主要用于amorphous silicon,polysilicon tungsten,silicon dioxide,以及silicon nitride;
■ RTN:Rapid Thermal Nitridation 快速熱氧化快速退火、RTP、RTA,快速退火爐RTP,快速退火爐RTA
RTP定義快速退火、RTP、RTA,快速退火爐RTP,快速退火爐RTA
■ RTP主要是利用熱能,將物體內(nèi)產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力的一些缺陷加以消除,為了使RTP的升溫速度快且均勻,RTP反應(yīng)室的周圍均為加熱器所包圍,然后籍著加熱器所釋放的輻射,來進(jìn)行RTP反映室的加熱。當(dāng)熱處理時(shí),這些加熱燈管能以每秒100℃以上的升溫速度,在數(shù)秒內(nèi),將RTP反應(yīng)室內(nèi)的晶片加熱到工藝所需的溫度,待熱處理階段完畢后(約數(shù)十秒),RTP反應(yīng)室再從高溫降為原來的溫度。快速退火、RTP、RTA,快速退火爐RTP,快速退火爐RTA
RTP的核心技術(shù)快速退火、RTP、RTA,快速退火爐RTP,快速退火爐RTA
■ 熱源與腔(chamber)的設(shè)計(jì);快速退火、RTP、RTA,快速退火爐RTP,快速退火爐RTA
■ 溫度的測量;快速退火、RTP、RTA,快速退火爐RTP,快速退火爐RTA
■ 溫度的控制;快速退火、RTP、RTA,快速退火爐RTP,快速退火爐RTA
快速熱處理過程中兩個(gè)最為關(guān)鍵的要點(diǎn)是:快速退火、RTP、RTA,快速退火爐RTP,快速退火爐RTA
精確地溫度測量與控制;快速退火、RTP、RTA,快速退火爐RTP,快速退火爐RTA
溫度的均勻分布。快速退火、RTP、RTA,快速退火爐RTP,快速退火爐RTA
RTA主要應(yīng)用快速退火、RTP、RTA,快速退火爐RTP,快速退火爐RTA
■ 離子注入退火:離子注入雜質(zhì)電激活率高,徹底消除注入損傷;快速退火、RTP、RTA,快速退火爐RTP,快速退火爐RTA
■ 高濃度淺PN結(jié)制造;快速退火、RTP、RTA,快速退火爐RTP,快速退火爐RTA
■ 自對準(zhǔn)難熔金屬硅化物現(xiàn)成(SALICIDE);快速退火、RTP、RTA,快速退火爐RTP,快速退火爐RTA
■ 磷硅或硼磷硅玻璃回流(REFLOW);快速退火、RTP、RTA,快速退火爐RTP,快速退火爐RTA
■ 薄氧化層快速氧化(RTN);快速退火、RTP、RTA,快速退火爐RTP,快速退火爐RTA
■ 半導(dǎo)體片熱消除。快速退火、RTP、RTA,快速退火爐RTP,快速退火爐RTA
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量伙半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司成立于2018年,位于上海市浦東新區(qū),公司專注于半導(dǎo)體芯片設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。
目前我司自主研發(fā)的快速退火爐RTP設(shè)備已具備國內(nèi)領(lǐng)先的技術(shù)水平,在研究所、芯片生產(chǎn)企業(yè)得到了廣泛應(yīng)用。