雙腔全自動兼容6-8寸快速退火爐RTP

產(chǎn)地：中國

型號：S803

特點(diǎn)：室溫到1250℃，應(yīng)用于SiC，GaN等第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域

簡介（Description）：

S803系列自動快速退火爐，內(nèi)置Robot可以自動取放片，適用于最大8英寸（單片200mm*200mm）及6英寸（單片150mm*150mm）硅片、第二代、第三代化合物材料等（包括但不限于，砷化鎵，碳化硅，氮化鎵等各類襯底和外延片），擁有出色的熱源和結(jié)構(gòu)設(shè)計，獨(dú)有專利的溫度控制系統(tǒng)，能更為精準(zhǔn)進(jìn)行溫控操作，可視化軟件平臺，也實(shí)時對溫度進(jìn)行監(jiān)控并矯正，保證工藝的穩(wěn)定性和重復(fù)性。雙面加熱方式與單面加熱相比，可以大幅減小圖案加載效應(yīng)，晶片上的熱的均勻性將更好。多路氣體配置（可定制更多），配置真空腔體，整機(jī)通過Semi認(rèn)證。設(shè)備國產(chǎn)化率達(dá)到90%，配件渠道豐富。

定義（Definition）：

快速熱處理（RTP）設(shè)備是一種單片熱處理設(shè)備，可以將晶圓的溫度快速升至工藝所需溫度（200-1300℃），并且能夠快速降溫，升/降溫度速率約20-250℃。RTP設(shè)備還具有其他優(yōu)良的工藝性能，如極佳的熱預(yù)算和更好的表面均勻性，尤其對大尺寸的晶圓片。多用于修復(fù)離子注入后的損傷，多腔體規(guī)格可以同時運(yùn)行不同的工藝過程。

名詞解釋RTA：Rapid Thermal Annealing 快速熱退火。

名詞解釋RTO：Rapid Thermal Oxidation 快速熱氧化，主要用于生長薄絕緣層。

名詞解釋RTN：Rapid Thermal Nitridation 快速熱氮化。

推薦適用場景：碳化硅氮化鎵等化合物外延制造，IGBT、MOSFET功率器件研發(fā)制造，MEMS研發(fā)制造。

設(shè)備規(guī)格（Specifications）：

1、全自動操作模式（腔體內(nèi)配置進(jìn)口主流Robot，與一線頂級自動化設(shè)備同規(guī)格產(chǎn)品，高效，穩(wěn)定，故障率低）；

2、Robot取放片（全程在腔內(nèi)Robot傳遞wafer進(jìn)行熱處理，避免污染，自動化程度高，節(jié)省人工）；

3、冷卻方式包括水冷和氮?dú)獯祾撸?/span>

4、MFC控制，3-5路制程氣體;

5、SEMI認(rèn)證（整體通過Semi認(rèn)證，符合半導(dǎo)體行業(yè)國際要求）。

設(shè)備主要工藝應(yīng)用（Application）：

●快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)；

●離子注入/接觸退火；

●高溫退火；

●高溫擴(kuò)散;

●金屬合金；

●熱氧化處理。

設(shè)備主要應(yīng)用領(lǐng)域（Field）：

●化合物半導(dǎo)體（磷化銦、砷化鎵、氮化物、碳化硅等）；

●MEMS等傳感器；

●二極管、MOSFET及IGBT等功率器件；