集成電路全自動(dòng)8寸快速退火爐RTP

產(chǎn)地：中國(guó)

型號(hào)：S801（V）

簡(jiǎn)介（Description）：

S801（V）系列全自動(dòng)快速退火爐，內(nèi)置Robot可以自動(dòng)取放片，適用于單片8英寸（200mm*200mm）及以下尺寸硅片、第二代、第三代化合物材料等（包括但不限于，砷化鎵，碳化硅，氮化鎵等各類襯底和外延片），擁有出色的熱源和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可以定制多腔體滿足產(chǎn)線產(chǎn)能規(guī)劃，符合Fab內(nèi)全自動(dòng)產(chǎn)線協(xié)同工作要求。獨(dú)有專利的溫度控制系統(tǒng)，能更為精準(zhǔn)進(jìn)行溫控操作，可視化軟件平臺(tái)，也實(shí)時(shí)對(duì)溫度進(jìn)行監(jiān)控并矯正，保證工藝的穩(wěn)定性和重復(fù)性。雙面加熱方式與單面加熱相比，可以大幅減小圖案加載效應(yīng)，晶片上的熱的均勻性將更好。多路氣體配置（可定制更多），配置真空腔體，整機(jī)通過(guò)Semi認(rèn)證。設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到90%，配件渠道豐富。

定義（Definition）：

快速熱處理（RTP）設(shè)備是一種單片熱處理設(shè)備，可以將晶圓的溫度快速升至工藝所需溫度（200-1300℃），并且能夠快速降溫，升/降溫度速率約20-250℃。RTP設(shè)備還具有其他優(yōu)良的工藝性能，如極佳的熱預(yù)算和更好的表面均勻性，尤其對(duì)大尺寸的晶圓片。多用于修復(fù)離子注入后的損傷，多腔體規(guī)格可以同時(shí)運(yùn)行不同的工藝過(guò)程。

名詞解釋RTA：Rapid Thermal Annealing 快速熱退火。

名詞解釋RTO：Rapid Thermal Oxidation 快速熱氧化，主要用于生長(zhǎng)薄絕緣層。

名詞解釋RTN：Rapid Thermal Nitridation 快速熱氮化。

推薦適用場(chǎng)景：碳化硅氮化鎵等化合物外延制造，IGBT、MOSFET功率器件研發(fā)制造，MEMS研發(fā)制造,LED芯片，miniLED，microLED等。

設(shè)備規(guī)格（Specifications）：

1、全自動(dòng)操作模式（腔體內(nèi)配置進(jìn)口主流Robot，與一線頂級(jí)自動(dòng)化設(shè)備同規(guī)格產(chǎn)品，高效，穩(wěn)定，故障率低）；

2、Robot取放片（全程在腔內(nèi)Robot傳遞wafer進(jìn)行熱處理，避免污染，自動(dòng)化程度高，節(jié)省人工）；

3、適應(yīng)于 2英寸-8英寸 Wafer；（單腔體最大滿足200mm*200mm材料進(jìn)行加熱處理）；

4、冷卻方式包括水冷和氮?dú)獯祾撸?/span>

5、MFC控制，3-5路制程氣體;

6、SEMI認(rèn)證（整體通過(guò)Semi認(rèn)證，符合半導(dǎo)體行業(yè)國(guó)際要求）。

設(shè)備主要工藝應(yīng)用（Application）：

●快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)；

●離子注入/接觸退火；

●高溫退火；

●高溫?cái)U(kuò)散;

●金屬合金；

●熱氧化處理。

設(shè)備主要應(yīng)用領(lǐng)域（Field）：

●化合物半導(dǎo)體（磷化銦、砷化鎵、氮化物、碳化硅等）；

●多晶硅；

●太陽(yáng)能電池片；

●MEMS等傳感器；

●二極管、MOSFET及IGBT等功率器件；

●LED、CMOS等光電器件；

●IC晶圓。