產(chǎn)地：中國(guó)

型號(hào)：LH-RTA-E

特點(diǎn)：

E系列半自動(dòng)快速退火爐，軟件控制取放片，適用于最大6英寸（150mm*150mm）及以下尺寸硅片、第二代、第三代化合物材料等（包括但不限于，磷化銦，砷化鎵，碳化硅，氮化鎵等各類襯底和外延片），擁有出色的熱源和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。獨(dú)有專利的溫度控制系統(tǒng)，能更為精準(zhǔn)進(jìn)行溫控操作，可視化軟件平臺(tái)，實(shí)時(shí)對(duì)腔室溫度進(jìn)行監(jiān)控并矯正，保證工藝的穩(wěn)定性和重復(fù)性。雙面加熱方式與單面加熱相比，可以大幅減小圖案加載效應(yīng)。器件晶片上熱的均勻性將更好。1-5路氣體配置（可定制），可抽真空腔體。設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到95%以上，配件渠道豐富。

用途：

快速熱處理（RTP）設(shè)備是一種單片熱處理設(shè)備，可以將晶圓的溫度快速升至工藝所需溫度（200-1300℃），并且能夠快速降溫，升/降溫度速率約20-250℃。RTP設(shè)備還具有其他優(yōu)良的工藝性能，如極佳的熱預(yù)算和更好的表面均勻性，尤其對(duì)大尺寸的晶圓片。多用于修復(fù)離子注入后的損傷，多腔體規(guī)格可以同時(shí)運(yùn)行不同的工藝過程。

名詞解釋RTA：Rapid Thermal Annealing 快速熱退火。

名詞解釋RTO：Rapid Thermal Oxidation 快速熱氧化，主要用于生長(zhǎng)薄絕緣層。

名詞解釋RTN：Rapid Thermal Nitridation 快速熱氮化。

推薦適用場(chǎng)景：碳化硅氮化鎵等化合物外延制造，IGBT、MOSFET功率器件研發(fā)制造，MEMS研發(fā)制造,LED芯片，miniLED，microLED等。

設(shè)備主要規(guī)格（Features）：

1.最大6英寸 Wafer（單腔體最大滿足150mm*150mm材料進(jìn)行加熱處理）；

2.冷卻方式包括水冷和氮?dú)獯祾撸ㄑh(huán)常溫水冷卻，軟件可視化監(jiān)控管理，防止外壁過熱，內(nèi)置氮?dú)夤苈罚祾咔惑w，保持清潔，極速降溫）；

3.MFC控制，1-5路制程氣體。（品牌MFC控制器，內(nèi)置多路氣氛管路，可定制開通，滿足各類測(cè)試工藝需求）；

4.退火溫度范圍 300℃-1000℃（常規(guī)硅基材料溫度適用于850℃，第三代半導(dǎo)體材料最大可到1350℃）；

5.升溫速率 ≦150℃/秒（升溫速度隨不同的材料及裝置會(huì)有差異，標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)是裸片放置內(nèi)測(cè)量后得出，150攝氏度每秒是常規(guī)溫度速率，加熱設(shè)備的極限會(huì)更高）；

6.Windows操作系統(tǒng)；（高性能工業(yè)電腦，搭載windows操作系統(tǒng)，larcomse專屬軟件操作，上手簡(jiǎn)單，系統(tǒng)功能強(qiáng)大，各類數(shù)據(jù)可視化程度高，內(nèi)容豐富，亦可定制軟件模塊）；

7.配置真空系統(tǒng)（滿足常規(guī)真空要求，使用分子泵能達(dá)到更高的真空度，能定制真空度）；

8.多只紅外鹵素光源（根據(jù)需求可配置數(shù)量不等的燈管，以滿足工藝加熱要求）。

設(shè)備主要工藝應(yīng)用（Application）：

快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)；

離子注入/接觸退火；

高溫退火；

高溫?cái)U(kuò)散；

金屬合金；

熱氧化處理。

設(shè)備主要應(yīng)用領(lǐng)域（Field）：

化合物半導(dǎo)體（磷化銦、砷化鎵、氮化物、碳化硅等）;

多晶硅；

太陽(yáng)能電池片；

MEMS；

功率器件；

IC晶圓；

LED晶圓；

CMOS芯片。